Toptica

研究開発向け 半導体レーザー

TOPTICA社の研究開発向け半導体レーザーは物理、光化学およびライフサイエンス分野における分光アプリケーションに最適なソリューションを提供します。それそれの用途に応じたカスタム製品の開発・製造の能力は当社の強みのひとつでもあります。

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波長可変半導体レーザー        高出力/光増幅器内蔵          波長変換半導体レーザー

研究開発向け半導体レーザーの仕様比較表
レーザー種別 対応波長レンジ 出力レンジ  波長可変レンジ モードホップ波長可変レンジ 発振線幅
(5 µs)
波長可変半導体レーザー
CTL 915-985 nm
1460-1570 nm
1530-1620 nm
20..80 mW 70..90 nm 70..90 nm < 100 kHz
DL pro 370-520 nm*
632-1770 nm*
3..300 mW 2..80 nm 20 .. 50 GHz 0.1..1 MHz
DL 100 370-520 nm*
632-1770 nm*
3..300 mW 2..80 nm 20 GHz 0.1..1 MHz
DL pro HP 394-520 nm
633-641 nm
25..70 mW 2..3 nm 20 .. 50 GHz < 150 kHz
DL DFB 633 .. 685 nm*
760-3500 nm
2..150 mW 2..6 nm 1000 GHz 1..4 MHz
 
高出力/光増幅器内蔵半導体レーザー
TA pro 633..1495 nm* 150..3000 mW 10..50 nm 20-50 GHz 0.1..1 MHz
BoosTA pro 633..1495 nm* Max.+20 dB
(Max 3 W)
10..50 nm Dep. on master Dep. on master
BoosTA
633..1495 nm* Max.+20 dB
(Max 1.5 W)
10..50 nm Dep. on master Dep. on master
 
波長変換半導体レーザー
SHG pro 190 .. 800 nm*,** Up to 20 W** 1 – 15 nm** > 20 GHz** < 500 kHz**
DL-SHG pro 325..640* nm 1..50 mW 2 – 15 nm > 20 GHz < 500 kHz
TA-SHG pro
(DL-FA-SHG pro)
316-680 nm*
(520-780 nm)
Up to 1200 mW
(Up to 20 W)
2 – 15 nm > 20 GHz < 500 kHz
TA-FHG pro
(DL-FA-FHG pro)
190-340 nm*
(260-390 nm)
Up to 500 mW 1 – 4 nm > 40 GHz < 1 MHz

 

* 一部対応できない波長がございます。
** 適切な基本波レーザーを用いた場合の仕様となります。

仕様は予告無く変更になる場合がございます。

Wavelength coverage of TOPTICAs research grade diode lasers: tunable diode lasers, amplified diode lasers, frequency converted diode lasers.
TOPTICA社研究開発向け半導体レーザーの波長ラインナップ